FEMM 5

Часть II · Теория четырёх физических модулей FEMM → § 8 · Магнитное поле, цепи и энергетические величины

Занятие 8.8

Магнитная диффузия, скин-эффект и вихревые токи

Магнитная диффузия, скин-эффект и вихревые токи. Аналитический эталон. Аналитический линейный проводящий полупространственный образец. δ = √(2/(ωμσ)); огибающая |J|/|J₀| = exp(−x/δ). Частоты 50 и 200 Гц. Конечное сечение и торцевые эффекты не моделируются.
Магнитная диффузия, скин-эффект и вихревые токи1 — поверхность полупространства; x — глубина от поверхностиАналитический эталон. Аналитический линейный проводящий полупространственный образец. δ = √(2/(ωμσ)); огибающая |J|/|J₀| = exp(−x/δ). Частоты 50 и 200 Гц. Конечное сечение и торцевые эффекты не моделируются.Открыть SVG целикомРезультат отдельно

Цель и задачи

Цель. Связать диффузию магнитного поля со скин-слоем и потерями.

Задачи

  • Сопоставьте аналитическое значение с показаниями визуальной лаборатории.
  • Получите глубину, профиль амплитуды и фазу для двух частот при одинаковом возбуждении.
Что нужно вспомнить перед началом

Если одно из понятий незнакомо, вернитесь к предыдущему занятию и воспроизведите его численный пример. После этого переходите к новой постановке.

Место занятия в инженерной методике

Теоретическое занятие с количественной проверкой · Определение потерь и границы энергетического баланса

Инженерный вопрос. Как увеличение частоты в четыре раза меняет глубину проникновения и фазу тока?

Эти действия входят в подготовку расчёта любого устройства: они устанавливают связь источника, геометрии и наблюдаемой величины. Их результат позволяет выбрать допустимую постановку и способ извлечения будущей характеристики.

Последовательность решения, отчёт и критерии результата

Пространственное исследование и аналитическая количественная проверка подготавливают последующий расчёт FEMM.

Последовательность решения

  1. Обосновать постановку и способ измерения. Перечислите учитываемые механизмы и области потерь; укажите проводимость, частоту и нормировку. Неучтённые торцевые и гистерезисные вклады записываются отдельно.

  2. Контрольный пример. Проверьте размерность мощности и контрольный предел проводника или RL-цепи, когда он применим.

  3. Исследование поля и интерпретация результата. Выполните действия практикума по его исходной таблице. Получите глубину, профиль амплитуды и фазу для двух частот при одинаковом возбуждении.

  4. Ответить на вопрос по своим результатам. Сведите потери по областям и механизмам в общий баланс; сохраняйте одинаковую нормировку тока и границу системы.

Что включить в отчёт

Результат этого занятия. Таблица частот, глубин проникновения и условий сеточной проверки потерь.

Данные именно этого опыта. Получите глубину, профиль амплитуды и фазу для двух частот при одинаковом возбуждении.

Оформление наблюдений. Потери по областям и механизмам, входная мощность, токовая нормировка и частота; отдельно — добавленные сопротивления и происхождение их значений.

Как обосновать результат

Проверка из практикума. При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Независимый контроль. Сведите мощности выводов и объёмные потери в один баланс, используя физически одинаковые границы системы.

Критерий выполнения. Записаны исходные параметры, ориентация и определение величины. Сохранены два состояния опыта и объяснение различия. При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Точность и расхождения. Уточняйте сетку в проводнике относительно глубины проникновения; неопределённость проводимости и дополнительных сопротивлений отделяйте от сеточного изменения.

Основание сравнения. Используйте определения потерь и глубины проникновения из занятия. Формула однородного проводника или полупространства служит контрольным пределом; торцевые и неучтённые механизмы перечисляют отдельно.

Вывод для устройства

Определите, какие потери ограничивают режим или передаются тепловой модели; полный КПД нельзя получать без всех требуемых членов баланса.

Границы вывода. Простой эталон проверяет конкретное действие или физический закон; перенос на устройство требует заново согласовать геометрию, материалы, режим и объёмный множитель.

Теория и вывод формул

При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Соглашения об обозначениях и единицах
  • \(i(t)\), \(u(t)\) — мгновенные значения; \(\widehat I\), \(\widehat U\) — комплексные амплитуды; \(\underline I_{\text{д}}\), \(\underline U_{\text{д}}\) — комплексные действующие значения. Для синусоиды \(\widehat I=\sqrt{2}\,\underline I_{\text{д}}\); действующее значение тока равно \(|\underline I_{\text{д}}|\). Нормировка обязательно учитывается в формулах мощности.
  • \(\Phi=\int_S\mathbf B\cdot\mathrm d\mathbf S\) — поток через ориентированную поверхность; \(\Psi=\sum_k\oint_{C_k}\mathbf A\cdot\mathrm d\mathbf l\) — потокосцепление последовательных витков с согласованными замкнутыми контурами. Только при одинаковом сцепленном потоке каждого витка \(\Psi=N\Phi\). Обе величины измеряются в веберах: число витков безразмерно. Запись «Вб·виток» подчёркивает суммирование.
  • \(\theta_{\text{м}}\), \(\Omega\) (также \(\omega_{\text{мех}}\)) — механические угол и угловая скорость. Для основной гармоники \(\theta_{\text{э}}=p\theta_{\text{м}}\), \(\omega_{\text{э}}=p\Omega\), где \(p\) — число пар полюсов. Геометрический период зубцов задаётся отдельно. В производных по углу используйте радианы.
  • Статическая индуктивность \(L_{\text{ст}}=\Psi/i\) — наклон секущей из начала координат; это определение используется при \(\Psi(0)=0\) и \(i\ne0\). Динамическая индуктивность \(L_{\text{дин}}=\partial\Psi/\partial i\) — наклон касательной (дифференциальная, инкрементальная); положение и остальные токи фиксированы. Для линейной характеристики без смещения обе равны одной индуктивности \(L\). При постоянных магнитах и взаимном возбуждении сначала учитывают ненулевое смещение потокосцепления.
  • Положительные направления, оси и специальные индексы определяются в конкретной задаче. Единицу берите из условия или заголовка таблицы; перед подстановкой в формулу СИ переводите миллиметры в метры, миллигенри в генри и градусы в радианы.
  • Численные результаты обычно показаны с четырьмя значащими цифрами; для сравнения близких значений в таблицах сходимости сохранено больше цифр. Полные значения остаются в исходных расчётных данных. Малые остатки вычисления координат на осях показаны как ноль; малые физические величины сохраняются в показательной записи.
Указатель формул этого занятия
  1. (8.81) · Контрольное соотношение
  2. (8.82) · Численный пример

Вихревые токи, скин-эффект и потери

Почему переменное поле не проникает в проводник

Поместим массивный медный брусок в переменное магнитное поле. По закону Фарадея в нём возникает вихревое электрическое поле, а поскольку медь проводит, — замкнутые токи, которые называют вихревыми. По правилу Ленца их собственное поле направлено против изменения внешнего: внутри проводника поле ослабляется, а токи и выделение тепла сосредоточиваются у поверхности. Чем выше частота и проводимость, тем тоньше этот поверхностный слой. То же явление для провода с собственным переменным током называют скин-эффектом (поверхностным эффектом): ток «выжимается» на периферию сечения, сопротивление растёт, внутренняя индуктивность падает.

Вихревые токи — одновременно вред и польза. В сердечниках трансформаторов и машин это паразитные потери, с которыми борются шихтовкой (набором из тонких изолированных листов). В индукционных печах, закалочных установках и электромагнитных тормозах то же явление — рабочий механизм нагрева или торможения. В обоих случаях нужен количественный расчёт, и он опирается на одно уравнение — уравнение диффузии поля.

Магнитоквазистатическое приближение

Из уравнений Максвелла в проводящей среде оставим три: закон полного тока без тока смещения, закон Фарадея и локальный закон Ома, ∇×H=J,∇×E=−∂B∂t,J=σE,\nabla\times \uH=\uJ,\qquad \nabla\times \uE=-\frac{\partial\uB}{\partial t},\qquad \uJ=\sigma\uE, и материальное уравнение B=μH\uB=\mu\uH с постоянными μ\mu, σ\sigma. Отбрасывание тока смещения ∂D/∂t\partial\uD/\partial t и есть магнитоквазистатическое (МКС) приближение. Оно оправдано при двух условиях.

  1. Ток смещения мал по сравнению с током проводимости: ωε≪σ\omega\varepsilon\ll\sigma. Для меди при 50 Гц отношение σ/(ωε0)=5,8⋅107/(314⋅8,854⋅10−12)≈2⋅1016\sigma/(\omega\varepsilon_0)=5{,}8\cdot10^7/(314\cdot8{,}854\cdot10^{-12})\approx2\cdot10^{16}; даже на гигагерцах в металлах ток смещения ничтожен.
  2. Характерный размер системы ℓ\ell много меньше длины волны в окружающем пространстве: ℓ≪λ=c/f\ell\ll\lambda=c/f. При 50 Гц λ=6000\lambda=6000 км, при 1 МГц — 300 м. Это условие обеспечивает мгновенность связи между частями системы: запаздыванием можно пренебречь, и поле вне проводников описывается как в магнитостатике [Haus].

Уравнение диффузии магнитного поля

Возьмём ротор от закона полного тока и воспользуемся законом Ома и законом Фарадея: ∇×∇×H=∇×J=σ∇×E=−σ∂B∂t=−μσ∂H∂t.\nabla\times \nabla\times \uH=\nabla\times \uJ=\sigma\nabla\times \uE=-\sigma\frac{\partial\uB}{\partial t}=-\mu\sigma\frac{\partial\uH}{\partial t}. По тождеству векторного анализа ∇×∇×H=∇∇⋅H−ΔH\nabla\times \nabla\times \uH=\nabla \nabla\cdot \uH-\Delta\uH, а в однородной среде ∇⋅H=∇⋅B/μ=0\nabla\cdot \uH=\nabla\cdot \uB/\mu=0. Следовательно, ΔH=μσ∂H∂t.\Delta\uH=\mu\sigma\frac{\partial\uH}{\partial t}. Такому же уравнению удовлетворяют B\uB, E\uE и J\uJ. Это уравнение теплопроводности (диффузии) с «коэффициентом диффузии» 1/(μσ)1/(\mu\sigma): поле не распространяется волной, а просачивается в проводник, сглаживаясь и затухая. Для гармонических полей ∂/∂t→jω\partial/\partial t\to\ii\omega и ΔH˙=jωμσ H˙.\Delta\cplx{\uH}=\ii\omega\mu\sigma\,\cplx{\uH}.

Сравнение с нестационарной теплопроводностью не случайно: математика прогрева пластины и проникновения поля в пластину совпадает, различаются лишь коэффициенты и характер источников.

Глубина проникновения

Коэффициент jωμσ\ii\omega\mu\sigma имеет размерность м⁻². Из него строится единственный масштаб длины задачи.

Глубина проникновения

δ=2ωμσ=1πfμσ.\delta=\sqrt{\frac{2}{\omega\mu\sigma}}=\frac{1}{\sqrt{\pi f\mu\sigma}} . Это расстояние, на котором амплитуда поля в плоском проводнике убывает в e≈2,72e\approx2{,}72 раза, а фаза отстаёт на 1 радиан. Единица — метр. Величина δ\delta зависит только от частоты и свойств материала, но не от размеров тела.

Материал σ\sigma, См/м μr\mu_r ff δ\delta
Медь 5,8⋅1075{,}8\cdot10^7 1 50 Гц 9,3 мм
Медь 5,8⋅1075{,}8\cdot10^7 1 1 кГц 2,1 мм
Медь 5,8⋅1075{,}8\cdot10^7 1 10 кГц 0,66 мм
Медь 5,8⋅1075{,}8\cdot10^7 1 100 кГц 0,21 мм
Конструкционная сталь 5⋅1065\cdot10^6 1000 50 Гц 1 мм

Проверим первую строку: ωμ0σ=314,2⋅1,2566⋅10−6⋅5,8⋅107=2,29⋅104\omega\mu_0\sigma=314{,}2\cdot1{,}2566\cdot10^{-6}\cdot5{,}8\cdot10^7=2{,}29\cdot10^4 м⁻², δ=2/(2,29⋅104)=9,35⋅10−3\delta=\sqrt{2/(2{,}29\cdot10^4)}=9{,}35\cdot10^{-3} м. Для стали проводимость на порядок меньше, что увеличило бы δ\delta в 3,43{,}4 раза, но проницаемость в тысячу раз больше, и в итоге поле проникает в сталь на порядок хуже, чем в медь. Из формулы видно, что δ∝1/f\delta\propto1/\sqrt f: рост частоты в 100 раз уменьшает глубину в 10 раз.

Полупространство: простейшее точное решение

Пусть проводник занимает область x>0x>0, а на его поверхности x=0x=0 задано касательное поле H˙z(0)=H˙0\cplx H_z(0)=\cplx H_0, не зависящее от yy и zz. Уравнение диффузии становится обыкновенным: d2H˙z/dx2=jωμσH˙z=k2H˙z\dd^2\cplx H_z/\dd x^2=\ii\omega\mu\sigma\cplx H_z=k^2\cplx H_z, где k=jωμσ=1+jδ,поскольку(1+j)2=2j.k=\sqrt{\ii\omega\mu\sigma}=\frac{1+\ii}{\delta},\qquad\text{поскольку}\qquad(1+\ii)^2=2\ii .

Поле и ток в проводящем полупространстве

Из двух решений e±kxe^{\pm kx} физично только убывающее: H˙z(x)=H˙0 e−(1+j)x/δ=H˙0 e−x/δe−jx/δ.\cplx H_z(x)=\cplx H_0\,e^{-(1+\ii)x/\delta}=\cplx H_0\,e^{-x/\delta}e^{-\ii x/\delta}. Амплитуда убывает по экспоненте, фаза линейно отстаёт с глубиной: на глубине δ\delta — на 1 рад (57°57°), на глубине πδ\pi\delta поле противофазно поверхностному. Плотность тока из закона полного тока (∇×H)y=−∂Hz/∂x(\nabla\times \uH)_y=-\partial H_z/\partial x: J˙y(x)=−dH˙zdx=1+jδH˙0 e−(1+j)x/δ,∣J˙y(0)∣=2 ∣H˙0∣δ.\cplx J_y(x)=-\frac{\dd\cplx H_z}{\dd x}=\frac{1+\ii}{\delta}\cplx H_0\,e^{-(1+\ii)x/\delta},\qquad |\cplx J_y(0)|=\frac{\sqrt2\,|\cplx H_0|}{\delta}. Полный ток на единицу ширины ∫0∞J˙y dx=H˙0\int_0^\infty\cplx J_y\,\dd x=\cplx H_0 — таков же, как у бесконечно тонкого поверхностного тока, создающего скачок HH; распределение же этого тока растянуто по глубине ∼δ\sim\delta с опережением по фазе на 45°45° у поверхности.

Поверхностный импеданс — отношение касательных составляющих E\uE и H\uH на поверхности: Zs=E˙y(0)H˙z(0)=J˙y(0)σH˙0=1+jσδ=Rs+jXs,Rs=Xs=1σδ.Z_s=\frac{\cplx E_y(0)}{\cplx H_z(0)}=\frac{\cplx J_y(0)}{\sigma\cplx H_0}=\frac{1+\ii}{\sigma\delta}=R_s+\ii X_s,\qquad R_s=X_s=\frac{1}{\sigma\delta}. Единица — ом (точнее, ом на «квадрат» поверхности). Поверхностное сопротивление RsR_s равно сопротивлению слоя толщиной δ\delta при равномерном токе — ещё одна интерпретация δ\delta. Активная и реактивная части равны: внутренний фазовый угол импеданса массивного проводника всегда 45°45°.

Средние потери на единицу поверхности получаются интегрированием объёмной плотности 12∣J˙∣2/σ\tfrac12|\cplx J|^2/\sigma (амплитудные фазоры!): p=12σ∫0∞∣J˙y∣2dx=∣H˙0∣2σδ2∫0∞e−2x/δdx=∣H˙0∣22σδ=12∣H˙0∣2Rs.p=\frac{1}{2\sigma}\int_0^\infty|\cplx J_y|^2\dd x=\frac{|\cplx H_0|^2}{\sigma\delta^2}\int_0^\infty e^{-2x/\delta}\dd x=\frac{|\cplx H_0|^2}{2\sigma\delta}=\tfrac12|\cplx H_0|^2R_s . Так как δ∝f−1/2\delta\propto f^{-1/2}, потери массивного тела при фиксированной амплитуде поверхностного поля растут как f\sqrt f. Для меди при 50 Гц Rs=1/(5,8⋅107⋅9,35⋅10−3)=1,84R_s=1/(5{,}8\cdot10^7\cdot9{,}35\cdot10^{-3})=1{,}84 мкОм; при амплитуде H0=1000H_0=1000 А/м (это B0=μ0H0=1,26B_0=\mu_0H_0=1{,}26 мТл) p=12⋅106⋅1,84⋅10−6=0,92p=\tfrac12\cdot10^6\cdot1{,}84\cdot10^{-6}=0{,}92 Вт/м².

Пластина конечной толщины

Рассмотрим пластину −h<x<h-h<x<h (толщина 2h2h) в однородном касательном поле H˙0\cplx H_0, одинаковом с обеих сторон. Решение симметрично по xx, поэтому из e±kxe^{\pm kx} строим гиперболический косинус: H˙z(x)=H˙0ch⁡(kx)ch⁡(kh),J˙y(x)=−H˙0 ksh⁡(kx)ch⁡(kh),k=1+jδ.\cplx H_z(x)=\cplx H_0\frac{\operatorname{ch}(kx)}{\operatorname{ch}(kh)},\qquad \cplx J_y(x)=-\cplx H_0\,k\frac{\operatorname{sh}(kx)}{\operatorname{ch}(kh)},\qquad k=\frac{1+\ii}{\delta}. Ток антисимметричен: на противоположных сторонах пластины он течёт в противоположные стороны, замыкаясь на далёких краях. Поведение решения определяется единственным безразмерным параметром h/δh/\delta.

Толстая пластина, h≫δh\gg\delta. Вблизи каждой поверхности решение переходит в решение для полупространства; в середине поле практически отсутствует. Потери на единицу площади с двух сторон p≈2⋅12∣H˙0∣2Rs=∣H˙0∣2/(σδ)∝fp\approx2\cdot\tfrac12|\cplx H_0|^2R_s=|\cplx H_0|^2/(\sigma\delta)\propto\sqrt f.

Тонкая пластина, h≪δh\ll\delta. Поле проникает полностью: H˙z≈H˙0\cplx H_z\approx\cplx H_0, индукция B=μH0B=\mu H_0 одинакова по сечению и равна внешней. Это режим шихтованного сердечника, и потери в нём считаются элементарно.

Классические потери на вихревые токи в тонком листе

Пусть в листе толщиной d=2hd=2h индукция однородна: Bz(t)=Bmcos⁡ωtB_z(t)=B_m\cos\omega t. По закону Фарадея ∇×E=−∂B/∂t\nabla\times \uE=-\partial\uB/\partial t при E=Ey(x)E=E_y(x): (∇×E)z=dEy/dx=−dBz/dt(\nabla\times \uE)_z=\dd E_y/\dd x=-\dd B_z/\dd t, откуда, с учётом антисимметрии (Ey(0)=0E_y(0)=0), Ey(x)=−xdBzdt=ωBmxsin⁡ωt,Jy=σEy.E_y(x)=-x\frac{\dd B_z}{\dd t}=\omega B_mx\sin\omega t,\qquad J_y=\sigma E_y . Мгновенная объёмная плотность потерь σEy2=σω2Bm2x2sin⁡2ωt\sigma E_y^2=\sigma\omega^2B_m^2x^2\sin^2\omega t; её среднее по времени — 12σω2Bm2x2\tfrac12\sigma\omega^2B_m^2x^2, среднее по толщине — с множителем 12h∫−hhx2dx=h2/3\frac1{2h}\int_{-h}^{h}x^2\dd x=h^2/3. Итого средние потери на единицу объёма pV=σω2Bm2h26=σω2Bm2d224=(πfBmd)2σ6.p_V=\frac{\sigma\omega^2B_m^2h^2}{6}=\frac{\sigma\omega^2B_m^2d^2}{24}=\frac{(\pi fB_md)^2\sigma}{6}. Потери растут как квадрат частоты и квадрат толщины листа: уменьшив толщину вдвое, снижаем удельные потери вчетверо. В этом смысл шихтовки. Формула применима лишь при h≪δh\ll\delta; при h≳δh\gtrsim\delta она завышает потери, и точное решение с ch⁡\operatorname{ch} даёт переход к режиму f\sqrt f.

Потери в электротехнической стали

Лист толщиной d=0,35d=0{,}35 мм, σ=2⋅106\sigma=2\cdot10^6 См/м, μr≈1000\mu_r\approx1000, Bm=1,5B_m=1{,}5 Тл, f=50f=50 Гц. Сначала проверяем применимость: δ=2/(314,2⋅1,2566⋅10−3⋅2⋅106)=1,59\delta=\sqrt{2/(314{,}2\cdot1{,}2566\cdot10^{-3}\cdot2\cdot10^6)}=1{,}59 мм, h=0,175h=0{,}175 мм, h/δ=0,11≪1h/\delta=0{,}11\ll1 — лист тонкий. Тогда pV=(π⋅50⋅1,5⋅3,5⋅10−4)2⋅2⋅1066=(0,0825)2⋅2⋅1066≈2,27⋅103 Вт/м3,p_V=\frac{(\pi\cdot50\cdot1{,}5\cdot3{,}5\cdot10^{-4})^2\cdot2\cdot10^6}{6}=\frac{(0{,}0825)^2\cdot2\cdot10^6}{6}\approx2{,}27\cdot10^3\ \text{Вт/м}^3, или при плотности ρm=7650\rho_m=7650 кг/м³ — около 0,300{,}30 Вт/кг. Это только классическая составляющая потерь на вихревые токи; гистерезисные потери считаются отдельно и обычно превышают её. Для сравнения: сплошной сердечник толщиной 10 мм из той же стали имел бы h/δ=3,1h/\delta=3{,}1 — режим скин-эффекта, в котором поле не доходит до середины сечения, а сердечник перестаёт работать как магнитопровод.

Круглый провод с током

Для провода радиуса aa с собственным током I˙\cplx I в цилиндрических координатах ток J˙z(r)\cplx J_z(r) удовлетворяет уравнению 1rddr(rdJ˙zdr)=jωμσJ˙z\frac1r\frac{\dd}{\dd r}\bigl(r\frac{\dd\cplx J_z}{\dd r}\bigr)=\ii\omega\mu\sigma\cplx J_z — уравнению Бесселя нулевого порядка с комплексным аргументом. Ограниченное на оси решение J˙z(r)=J˙z(a)J0(κr)J0(κa),κ2=−jωμσ,κ=1−jδ,\cplx J_z(r)=\cplx J_z(a)\frac{J_0(\kappa r)}{J_0(\kappa a)},\qquad \kappa^2=-\ii\omega\mu\sigma,\qquad \kappa=\frac{1-\ii}{\delta}, где J0J_0 — функция Бесселя первого рода [Абрамовиц] (в лаборатории это волновое число обозначено kk). Полный ток находится интегрированием по сечению, напряжение на единицу длины — как Ez(a)=Jz(a)/σE_z(a)=J_z(a)/\sigma на поверхности, и их отношение даёт внутренний импеданс единицы длины Z′=Rac′+jωLвн′=κ2πaσJ0(κa)J1(κa),Z'=R'_{ac}+\ii\omega L'_{\mathrm{вн}}=\frac{\kappa}{2\pi a\sigma}\frac{J_0(\kappa a)}{J_1(\kappa a)} , где Rac′R'_{ac} — сопротивление переменному току, а Lвн′L'_{\mathrm{вн}} — внутренняя индуктивность (связанная с потоком внутри провода); внешняя индуктивность зависит от обратного провода и скин-эффектом не затрагивается [Бессонов], [Stoll]. При ω→0\omega\to0 получаем Rdc′=1/(σπa2)R'_{dc}=1/(\sigma\pi a^2) и Lвн′=μ/(8π)L'_{\mathrm{вн}}=\mu/(8\pi).

a/δa/\delta Rac/RdcR_{ac}/R_{dc} Lвн/Lвн,dcL_{\mathrm{вн}}/L_{\mathrm{вн},dc}
0,5 1,001 0,999
1 1,02 0,99
2 1,26 0,87
3 1,77 0,65
10 5,26 0,2

Предельные формы удобны для оценок: при a≪δa\ll\delta имеем Rac/Rdc≈1+148(a/δ)4R_{ac}/R_{dc}\approx1+\frac1{48}(a/\delta)^4 — поправка четвёртого порядка, скин-эффект «включается» резко; при a≫δa\gg\delta ток течёт в кольце толщиной ≈δ\approx\delta и Rac/Rdc≈a2δ+14R_{ac}/R_{dc}\approx\frac{a}{2\delta}+\frac14 (это сопротивление кольца 1/(σ⋅2πaδ)1/(\sigma\cdot2\pi a\delta) с поправкой). Внутренняя индуктивность падает, потому что поток внутри провода вытесняется вместе с током: в пределе Lвн′≈μδ/(4πa)L'_{\mathrm{вн}}\approx\mu\delta/(4\pi a), а ωLвн′=Rac′\omega L'_{\mathrm{вн}}=R'_{ac} — тот же угол 45°45°, что у поверхностного импеданса. Для медного провода диаметром 2 мм (a=1a=1 мм) при 50 Гц a/δ=0,11a/\delta=0{,}11 и скин-эффекта нет; при 10 кГц a/δ=1,5a/\delta=1{,}5 и Rac/Rdc=1,10R_{ac}/R_{dc}=1{,}10; при 100 кГц a/δ=4,8a/\delta=4{,}8 и Rac/Rdc=2,66R_{ac}/R_{dc}=2{,}66.

Эффект близости

Решение для одиночного провода предполагает осевую симметрию: ток в проводе создаёт только азимутальное поле, и вытеснение одинаково по всему периметру. Если рядом лежит второй проводник — обратный провод шины, соседний виток катушки — его переменное поле наводит в первом проводе дополнительные вихревые токи. Они складываются с собственным током: при встречных токах ток смещается к обращённым друг к другу поверхностям, при согласных — к внешним. Распределение становится несимметричным, эффективное сечение ещё меньше, а потери больше, чем даёт формула Бесселя. Это эффект близости.

Он принципиально не описывается анализом одиночного проводника: его источник — внешнее поле, и в многослойных обмотках (где каждый слой находится в поле всех остальных) именно он, а не собственный скин-эффект, определяет потери. Оценка через a/δa/\delta для одиночного провода в таких случаях служит лишь нижней границей. Строгий расчёт требует решения уравнения диффузии для всей системы проводников совместно — аналитически для бесконечных пластин (как в фольговых обмотках), численно для реальной геометрии.

Лаборатория

В первом режиме лаборатории — проводящая пластина толщиной 2h2h в касательном гармоническом поле с амплитудой H0H_0 с обеих сторон; поле и ток рассчитываются по формулам с гиперболическим косинусом из этого урока. Во втором — круглый провод радиуса aa с заданной амплитудой тока ImI_m; решение через функции Бесселя комплексного аргумента. Изменяя частоту ff, проводимость σ\sigma, проницаемость μr\mu_r и размер (hh или aa), следите одновременно за четырьмя изображениями: распределением амплитуды ∣J˙∣|\cplx J| и мгновенного значения плотности тока по сечению, фазорной диаграммой J˙\cplx J на пяти глубинах, временным графиком и картой мгновенной плотности тока в сечении. Анимация по времени показывает, как «гребень» тока движется внутрь — поле в проводнике запаздывает с глубиной. В показаниях: δ\delta и отношение h/δh/\delta (или a/δa/\delta), ∣J˙∣|\cplx J| на поверхности и в глубине, потери на единицу площади с обеих сторон (пластина) или на единицу длины (провод), поверхностный импеданс ZsZ_s и для сравнения классическая формула тонкого листа (пластина) либо Rac/RdcR_{ac}/R_{dc} и внутренняя индуктивность (провод).

Вопросы, на которые лаборатория отвечает наглядно:

  • При каком h/δh/\delta фазоры тока у поверхности и на глубине h/2h/2 становятся противофазными (в середине пластины J˙=0\cplx J=0 по симметрии)? Сравните с оценкой «πδ\pi\delta» для полупространства.
  • Увеличивайте частоту при h≪δh\ll\delta и при h≫δh\gg\delta: в каком случае потери растут как f2f^2, в каком — как f\sqrt f? Где излом?
  • Для провода установите a/δ=3a/\delta=3 и убедитесь, что Rac/RdcR_{ac}/R_{dc} близко к значению из таблицы, а внутренняя индуктивность упала на треть.

Распространённые заблуждения

  • «Ток течёт в слое толщиной δ, глубже его нет». Нет: ток существует на любой глубине, просто его амплитуда затухает как e−x/δe^{-x/\delta}; на глубине 3δ3\delta она ещё 5 % поверхностной. Величина δ\delta — масштаб затухания, а слой толщиной δ\delta с равномерным током — лишь удобная эквивалентная модель для RsR_s.
  • «Потери всегда растут с частотой одинаково». В тонком листе p∝f2p\propto f^2, в массивном теле p∝fp\propto\sqrt f, в проводе переход между этими законами проходит при a≈δa\approx\delta. Без знания h/δh/\delta экстраполировать потери по частоте нельзя.
  • Множитель 2 в потерях. В формуле p=12∣H˙0∣2Rsp=\tfrac12|\cplx H_0|^2R_s фазор амплитудный. Если задано действующее значение HH, потери равны H2RsH^2R_s. Путаница даёт ошибку ровно вдвое — одну из самых частых в расчётах нагрева.
  • Применение формулы тонкого листа к толстому сердечнику. При h>δh>\delta формула (πfBmd)2σ/6(\pi fB_md)^2\sigma/6 не имеет смысла, потому что индукция в сечении уже не однородна и не равна внешней.
  • Забытая проницаемость. Для стали μr\mu_r входит в δ\delta так же, как σ\sigma; оценка глубины «как для меди» ошибается на полтора порядка. Кроме того, в насыщенной стали μ\mu зависит от HH, и линейное решение становится приближённым.

Вопросы и упражнения

  1. Найдите δ\delta для алюминия (σ=3,5⋅107\sigma=3{,}5\cdot10^7 См/м, μr=1\mu_r=1) при 50 Гц и при 5 кГц.
  2. На какой глубине в полупространстве амплитуда поля составляет 10 % поверхностной? Каков там фазовый сдвиг относительно поверхности?
  3. Лист электротехнической стали заменили листом из того же материала толщиной 0,5 мм вместо 0,35 мм. Во сколько раз изменятся удельные потери на вихревые токи при той же BmB_m и частоте? Проверьте применимость формулы при δ=1,6\delta=1{,}6 мм.
  4. Стальная плита толщиной 20 мм (δ=1\delta=1 мм при 50 Гц) лежит в поле рассеяния трансформатора. В каком режиме она находится? Как изменятся потери в ней при переходе на 60 Гц? А потери в шихтованном сердечнике того же трансформатора при неизменной BmB_m?
  5. Медный провод диаметром 2 мм при 100 кГц имеет Rac/Rdc=2,66R_{ac}/R_{dc}=2{,}66. Как изменилось бы это отношение, если бы провод заменили на 10 параллельных изолированных жил того же суммарного сечения? Что при этом игнорирует такая оценка?
  6. Объясните, почему уравнение ΔH˙=jωμσH˙\Delta\cplx{\uH}=\ii\omega\mu\sigma\cplx{\uH} нельзя получить, если удержать ток смещения, и при каком соотношении σ\sigma и ωε\omega\varepsilon его всё же можно считать верным.

Ответы к пунктам 1, 2 и 3

1. ωμ0σ=314,2⋅1,2566⋅10−6⋅3,5⋅107=1,38⋅104\omega\mu_0\sigma=314{,}2\cdot1{,}2566\cdot10^{-6}\cdot3{,}5\cdot10^7=1{,}38\cdot10^4 м⁻², δ=2/(1,38⋅104)=12,0\delta=\sqrt{2/(1{,}38\cdot10^4)}=12{,}0 мм. При 5 кГц частота больше в 100 раз, δ\delta меньше в 10 раз: 1,2 мм.

2. e−x/δ=0,1e^{-x/\delta}=0{,}1 при x=δln⁡10=2,3δx=\delta\ln10=2{,}3\delta; фазовый сдвиг −2,3-2{,}3 рад =−132°=-132°.

3. Потери ∝d2\propto d^2: (0,5/0,35)2=2,04(0{,}5/0{,}35)^2=2{,}04 — вдвое больше. Для d=0,5d=0{,}5 мм h/δ=0,25/1,6=0,16≪1h/\delta=0{,}25/1{,}6=0{,}16\ll1, формула применима.

Итоги

  • В МКС-приближении (σ≫ωε\sigma\gg\omega\varepsilon, размер ≪λ\ll\lambda) поле в проводнике подчиняется уравнению диффузии ΔH=μσ ∂H/∂t\Delta\uH=\mu\sigma\,\partial\uH/\partial t, для гармоник — ΔH˙=jωμσH˙\Delta\cplx{\uH}=\ii\omega\mu\sigma\cplx{\uH}.
  • Единственный масштаб длины — глубина проникновения δ=2/(ωμσ)\delta=\sqrt{2/(\omega\mu\sigma)}; в полупространстве H˙=H˙0e−(1+j)x/δ\cplx H=\cplx H_0e^{-(1+\ii)x/\delta}: амплитуда затухает, фаза отстаёт.
  • Поверхностный импеданс Zs=(1+j)/(σδ)Z_s=(1+\ii)/(\sigma\delta); потери на единицу площади 12∣H˙0∣2Rs\tfrac12|\cplx H_0|^2R_s, Rs=1/(σδ)R_s=1/(\sigma\delta) (амплитудные фазоры).
  • Тонкий лист (h≪δh\ll\delta): pV=(πfBmd)2σ/6∝f2d2p_V=(\pi fB_md)^2\sigma/6\propto f^2d^2 — обоснование шихтовки; толстое тело (h≫δh\gg\delta): p∝fp\propto\sqrt f.
  • В проводе с ростом a/δa/\delta растёт Rac/RdcR_{ac}/R_{dc} и падает внутренняя индуктивность; эффект близости в многопроводных системах не сводится к анализу одиночного провода.

Далее — от поля к интегральным величинам: как из распределённых E\uE, B\uB, J\uJ получаются ёмкость, индуктивность, сопротивление и импеданс.

Уточнения постановки и расчётной методики FEMM 5

Контрольное соотношение

При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

\delta=\sqrt{2/(2\pi f\mu_0\sigma)}\approx9{,}35\,\mathrm{мм}
(8.81)
Аналитическое упражнение; не результат расчёта FEMM.

Разобранный численный пример

Контрольный пример

Дано. Найдите глубину проникновения при f=50 Гц, \sigma =58 МСм/м, \mu _{r}=1; затем увеличьте частоту в четыре раза.

  1. При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

    \delta=\sqrt{2/(2\pi f\mu_0\sigma)}\approx9{,}35\,\mathrm{мм}
    (8.82)

Ответ: 0,009346 м

Проверка: Сравните знак и предел при изменении одного параметра.

Практикум в FEMM 5

Исследование поля и интерпретация результата

Таблица 8.19. Исходные данные практикума
Исходная величинаЗначениеЕдиница
Исходные условияНайдите глубину проникновения при f=50 Гц, \sigma =58 МСм/м, \mu _{r}=1; затем увеличьте частоту в четыре раза.
  1. Сформулируйте прогноз до открытия ответа.
  2. Откройте связанный опыт; получите исходное и изменённое состояния.
  3. Запишите численные величины и объясните знак, единицу и причину изменения.

Ожидаемый результат. Таблица двух состояний и физическое объяснение.

Как проверить. При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Обработка и анализ результатов

Как увеличение частоты в четыре раза меняет глубину проникновения и фазу тока?

  1. Получите глубину, профиль амплитуды и фазу для двух частот при одинаковом возбуждении.
  2. Сведите потери по областям и механизмам в общий баланс; сохраняйте одинаковую нормировку тока и границу системы.

С чем сравнить. Используйте определения потерь и глубины проникновения из занятия. Формула однородного проводника или полупространства служит контрольным пределом; торцевые и неучтённые механизмы перечисляют отдельно.

Итог работы. Таблица частот, глубин проникновения и условий сеточной проверки потерь.

Самостоятельная работа

Найдите глубину проникновения при f=50 Гц, \sigma =58 МСм/м, \mu _{r}=1; затем увеличьте частоту в четыре раза. При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Критерий выполнения: Записаны исходные параметры, ориентация и определение величины. Сохранены два состояния опыта и объяснение различия. При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Литература

Полные библиографические описания

Пояснения и типичные ошибки
Найдите глубину проникновения при f=50 Гц, \sigma =58 МСм/м, \mu _{r}=1; затем увеличьте частоту в четыре раза.

0.0093459003; При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.

Что подтверждает аналитическая самопроверка?

Выполнение этого контрольного упражнения; расчёт устройства FEMM проверяется по его собственной модели.

На что обратить внимание

  • При 200 Гц глубина уменьшается вдвое; достаточность сетки подтверждается сходимостью потерь.