FEMM 5

Гармонические токи: проводимость и смещение

Ввести комплексные амплитуды для гармонических процессов. Сравнивать токи проводимости и смещения. Использовать комплексную проводимость (адмиттивность)

Предварительные понятия

Проводник или диэлектрик — вопрос частоты

В предыдущем уроке ток был стационарным, а среда — либо проводником, либо изолятором. Реальная изоляция кабеля всё же немного проводит, а влажный грунт заметно поляризуется. Когда напряжение меняется во времени, в среде одновременно существуют два тока: ток проводимости σE\sigma\uE, переносящий заряд, и ток смещения ∂D/∂t\partial\uD/\partial t, связанный с изменением поля. Какой из них главный — зависит не только от материала, но и от частоты. Один и тот же грунт на промышленной частоте ведёт себя как проводник, а в полосе частот грозового импульса — почти как диэлектрик.

Чтобы единообразно описать оба тока, удобен аппарат комплексных амплитуд, который превращает дифференцирование по времени в умножение на число. Этот урок вводит его на примере электрического поля; к магнитным задачам он будет применён в уроке об индукции и фазорах.

Гармонические процессы и комплексные амплитуды

Пусть все величины меняются по синусоидальному закону одной и той же угловой частоты ω=2πf\omega=2\pi f. Любую из них можно записать в виде x(t)=Xmcos⁡(ωt+ψ)x(t)=X_m\cos(\omega t+\psi), где XmX_m — амплитуда, ψ\psi — начальная фаза.

Комплексная амплитуда (фазор)

Комплексное число X˙=Xmejψ\cplx X=X_me^{\ii\psi}, из которого мгновенное значение восстанавливается по правилу x(t)=Re⁡{X˙ejωt}=Xmcos⁡(ωt+ψ).x(t)=\Re\{\cplx Xe^{\ii\omega t}\}=X_m\cos(\omega t+\psi). В курсе принята временная зависимость ejωte^{\ii\omega t}, а фазоры — амплитудные значения. Действующее (среднеквадратичное) значение X=Xm/2X=X_m/\sqrt2.

Фазор — это не функция времени, а пара чисел (амплитуда и фаза), целиком описывающая гармонический процесс заданной частоты. Для векторных полей каждая декартова компонента имеет свой фазор: E˙=E˙xex+E˙yey+E˙zez\cplx{\uE}=\cplx E_x\vec e_x+\cplx E_y\vec e_y+\cplx E_z\vec e_z.

Дифференцирование по времени

Если x(t)=Re⁡{X˙ejωt}x(t)=\Re\{\cplx Xe^{\ii\omega t}\}, то dxdt=Re⁡{jωX˙ejωt},\frac{\dd x}{\dd t}=\Re\{\ii\omega\cplx Xe^{\ii\omega t}\}, то есть производной соответствует фазор jωX˙\ii\omega\cplx X: амплитуда умножается на ω\omega, фаза опережает на 90°90°. Интегрированию соответствует деление на jω\ii\omega. Любое линейное уравнение с постоянными коэффициентами для x(t)x(t) превращается в алгебраическое уравнение для X˙\cplx X.

Ограничение существенно: метод применим только к линейным системам в установившемся режиме. Нелинейная среда (например, насыщающаяся сталь) порождает высшие гармоники, и одного фазора недостаточно.

Токи проводимости и смещения

Уравнение Максвелла–Ампера в среде с проводимостью σ\sigma и проницаемостью ε\varepsilon: ∇×H=J+∂D∂t=σE+ε∂E∂t.\nabla\times \uH=\uJ+\frac{\partial\uD}{\partial t}=\sigma\uE+\varepsilon\frac{\partial\uE}{\partial t}. Переходя к комплексным амплитудам, получаем ∇×H˙=(σ+jωε)E˙.\nabla\times \cplx{\uH}=(\sigma+\ii\omega\varepsilon)\cplx{\uE}.

Комплексная проводимость (адмиттивность)

σ~=σ+jωε[См/м].\tilde\sigma=\sigma+\ii\omega\varepsilon\qquad[\text{См/м}]. Действительная часть описывает ток проводимости, синфазный с E\uE; мнимая — ток смещения, опережающий E\uE на 90°90°. Полная комплексная плотность тока J˙Σ=σ~E˙\cplx{\uJ}_\Sigma=\tilde\sigma\cplx{\uE}.

Равноправная запись — через комплексную проницаемость: σ~=jωε~\tilde\sigma=\ii\omega\tilde\varepsilon, где ε~=ε−jσ/ω=ε(1−jtg⁡δ)\tilde\varepsilon=\varepsilon-\ii\sigma/\omega=\varepsilon(1-\ii\operatorname{tg}\delta).

Тангенс угла потерь

tg⁡δ=σωε=∣ток проводимости∣∣ток смещения∣.\operatorname{tg}\delta=\frac{\sigma}{\omega\varepsilon}=\frac{|\text{ток проводимости}|}{|\text{ток смещения}|}. Угол δ\delta — угол, на который полный ток в среде отстаёт от чисто емкостного (на 90°90° опережающего E\uE). Для изоляционных материалов в справочниках приводят именно tg⁡δ\operatorname{tg}\delta, причём в него включают не только сквозную проводимость, но и потери на поляризацию; тогда σ\sigma следует понимать как эквивалентную проводимость на данной частоте.

Критерий прост: при σ≫ωε\sigma\gg\omega\varepsilon среда ведёт себя как проводник, при σ≪ωε\sigma\ll\omega\varepsilon — как диэлектрик, а граница между режимами лежит на частоте f0=σ/(2πε)f_0=\sigma/(2\pi\varepsilon).

Проводник или диэлектрик?

Для всех расчётов ε0=8,854⋅10−12\varepsilon_0=8{,}854\cdot10^{-12} Ф/м.

Медь, 50 Гц. ω=314,2\omega=314{,}2 с⁻¹, ωε0=2,78⋅10−9\omega\varepsilon_0=2{,}78\cdot10^{-9} См/м, σ/(ωε0)=5,8⋅107/2,78⋅10−9=2,1⋅1016\sigma/(\omega\varepsilon_0)=5{,}8\cdot10^7/2{,}78\cdot10^{-9}=2{,}1\cdot10^{16}. Ток смещения в металле ничтожен на любых технических частотах; частота f0≈1018f_0\approx10^{18} Гц лежит за пределами применимости самой модели.

Влажный грунт, σ=0,01\sigma=0{,}01 См/м, εr=20\varepsilon_r=20 (ε=1,77⋅10−10\varepsilon=1{,}77\cdot10^{-10} Ф/м). При 50 Гц: ωε=5,56⋅10−8\omega\varepsilon=5{,}56\cdot10^{-8} См/м, tg⁡δ=0,01/5,56⋅10−8=1,8⋅105\operatorname{tg}\delta=0{,}01/5{,}56\cdot10^{-8}=1{,}8\cdot10^5 — проводник. При 1 МГц: ωε=6,283⋅106⋅1,77⋅10−10=1,11⋅10−3\omega\varepsilon=6{,}283\cdot10^6\cdot1{,}77\cdot10^{-10}=1{,}11\cdot10^{-3} См/м, tg⁡δ=0,01/1,11⋅10−3≈9\operatorname{tg}\delta=0{,}01/1{,}11\cdot10^{-3}\approx9: проводимость всё ещё преобладает, но ток смещения составляет уже 11 % от тока проводимости. Граничная частота f0=0,01/(2π⋅1,77⋅10−10)≈9f_0=0{,}01/(2\pi\cdot1{,}77\cdot10^{-10})\approx9 МГц. Для фронтов грозовых импульсов (спектр до единиц мегагерц) ёмкостные свойства грунта уже нельзя игнорировать.

Полиэтиленовая изоляция, εr=2,3\varepsilon_r=2{,}3, сквозная проводимость порядка 10−1510^{-15} См/м. При 50 Гц ωε=6,4⋅10−9\omega\varepsilon=6{,}4\cdot10^{-9} См/м и tg⁡δ≈1,6⋅10−7\operatorname{tg}\delta\approx1{,}6\cdot10^{-7} — практически идеальный диэлектрик; измеряемый tg⁡δ\operatorname{tg}\delta полиэтилена (порядка 10−410^{-4}) определяется поляризационными потерями, а не сквозным током.

Квазиэлектростатическая модель

Полная система уравнений Максвелла связывает E\uE и H\uH взаимно: меняющееся H\uH индуцирует вихревое E\uE. Однако во многих задачах с преобладанием электрического поля — конденсаторы, изоляция, электроды в проводящей среде — это индуцированное поле пренебрежимо мало по сравнению с полем зарядов.

Квазиэлектростатическое (электроквазистатическое, ЭКС) приближение

Пренебрегаем правой частью закона Фарадея: ∇×E˙=−jωB˙≈0\nabla\times \cplx{\uE}=-\ii\omega\cplx{\uB}\approx0. Тогда электрическое поле по-прежнему потенциально, E˙=−∇φ˙,\cplx{\uE}=-\nabla \cplx\varphi , и в каждый момент времени повторяет электростатическую картину, соответствующую текущим потенциалам электродов. Магнитное поле вычисляется после электрического по закону Максвелла–Ампера, но на E\uE обратно не влияет.

Условие применимости: характерный размер системы ℓ\ell должен быть мал по сравнению с длиной волны, ℓ≪c/f\ell\ll c/f; при 50 Гц это 6000 км, при 1 МГц — 300 м. Кроме того, система должна быть «электрической» по своей природе: энергия сосредоточена в электрическом поле, а не в магнитном. Для массивных проводников с большими токами действует противоположное — магнитоквазистатическое — приближение, ведущее к вихревым токам и скин-эффекту. Систематическое разделение двух квазистатик дано в [Haus].

Применив к уравнению Максвелла–Ампера операцию дивергенции (∇⋅∇×≡0\nabla\cdot \nabla\times \equiv0), получаем уравнение для потенциала.

Уравнение ЭКС-поля

∇⋅[(σ+jωε)∇φ˙]=0.\nabla\cdot \bigl[(\sigma+\ii\omega\varepsilon)\nabla \cplx\varphi\bigr]=0 . Это уравнение стационарного поля тока, в котором вещественная проводимость заменена комплексной. В однородной среде σ~\tilde\sigma сокращается, остаётся уравнение Лапласа Δφ˙=0\Delta\cplx\varphi=0: распределение потенциала такое же, как в электростатике и как при постоянном токе, и лишь полный ток приобретает фазовый сдвиг. На границе двух сред непрерывны E˙t\cplx E_t и нормальная составляющая полной плотности тока σ~1E˙1n=σ~2E˙2n\tilde\sigma_1\cplx E_{1n}=\tilde\sigma_2\cplx E_{2n}.

Последнее условие важно для слоистой изоляции: при σ1/ε1≠σ2/ε2\sigma_1/\varepsilon_1\ne\sigma_2/\varepsilon_2 на границе слоёв накапливается свободный заряд, и распределение напряжения между слоями на низких частотах определяется проводимостями, а на высоких — проницаемостями. Поле, которое в электростатике делилось обратно пропорционально ε\varepsilon, на постоянном напряжении делится обратно пропорционально σ\sigma.

Время релаксации

Релаксация свободного заряда

В однородной среде объединим уравнение непрерывности ∇⋅J=−∂ρ/∂t\nabla\cdot \uJ=-\partial\rho/\partial t, закон Ома J=σE\uJ=\sigma\uE и теорему Гаусса ∇⋅(εE)=ρ\nabla\cdot (\varepsilon\uE)=\rho: ∂ρ∂t+σερ=0⇒ρ(t)=ρ0e−t/τ,τ=εσ.\frac{\partial\rho}{\partial t}+\frac\sigma\varepsilon\rho=0\quad\Rightarrow\quad\rho(t)=\rho_0e^{-t/\tau},\qquad\tau=\frac\varepsilon\sigma . Любой свободный заряд, оказавшийся внутри однородной среды, вытекает на её границы за время порядка τ\tau. Это та же величина, что RCRC двухэлектродной системы из предыдущего урока.

Критерий «проводник или диэлектрик» в терминах времени релаксации читается так: ωτ=ωε/σ=1/tg⁡δ\omega\tau=\omega\varepsilon/\sigma=1/\operatorname{tg}\delta. Если период колебаний велик по сравнению с τ\tau, заряды успевают перераспределиться, и среда проводит; если мал — не успевают, и среда поляризуется. Для меди τ≈1,5⋅10−19\tau\approx1{,}5\cdot10^{-19} с, для влажного грунта τ=1,77⋅10−10/0,01=17,7\tau=1{,}77\cdot10^{-10}/0{,}01=17{,}7 нс, для полиэтилена τ=2,04⋅10−11/10−15≈2⋅104\tau=2{,}04\cdot10^{-11}/10^{-15}\approx2\cdot10^4 с, то есть около 5,7 ч — заряд, внедрённый в полиэтилен, живёт часами.

Мощность в гармоническом режиме

Мгновенная плотность мощности p(t)=J⋅Ep(t)=\uJ\cdot\uE пульсирует с удвоенной частотой. Инженера интересует среднее за период значение и амплитуда обменной (реактивной) составляющей.

Активная и реактивная плотности мощности

Для скалярных гармонических величин u(t)=Re⁡{U˙ejωt}u(t)=\Re\{\cplx Ue^{\ii\omega t}\}, i(t)=Re⁡{I˙ejωt}i(t)=\Re\{\cplx Ie^{\ii\omega t}\} среднее за период произведение равно ui‾=12Re⁡{U˙I˙∗}\overline{ui}=\tfrac12\Re\{\cplx U\cplx I^*\} (звёздочка — комплексное сопряжение). Применяя это к плотности мощности с J˙Σ=σ~E˙\cplx{\uJ}_\Sigma=\tilde\sigma\cplx{\uE}, вводим комплексную плотность мощности s~=12E˙⋅J˙Σ ∗=12(σ−jωε)∣E˙∣2,\tilde s=\tfrac12\cplx{\uE}\cdot\cplx{\uJ}_\Sigma^{\,*}=\tfrac12(\sigma-\ii\omega\varepsilon)|\cplx{\uE}|^2 , откуда pa=12σEm2[Вт/м3],q=−12ωεEm2[вар/м3].p_{\mathrm a}=\tfrac12\sigma E_m^2\quad[\text{Вт/м}^3],\qquad q=-\tfrac12\omega\varepsilon E_m^2\quad[\text{вар/м}^3]. Активная плотность — средние потери Джоуля (множитель 12\tfrac12 переводит амплитуду в действующее значение: 12σEm2=σE2\tfrac12\sigma E_m^2=\sigma E^2). Реактивная плотность отрицательна, как и положено емкостной нагрузке; по модулю ∣q∣=2ωwˉэ|q|=2\omega\bar w_{\mathrm э}, где wˉэ=14εEm2\bar w_{\mathrm э}=\tfrac14\varepsilon E_m^2 — средняя плотность энергии электрического поля. Отношение pa/∣q∣=σ/(ωε)=tg⁡δp_{\mathrm a}/|q|=\sigma/(\omega\varepsilon)=\operatorname{tg}\delta: тангенс угла потерь — это и есть отношение активной мощности к реактивной.

Приложения

Конденсатор с несовершенным диэлектриком

Плоский конденсатор: площадь обкладок SS, зазор dd, диэлектрик ε\varepsilon, σ\sigma. Поле однородно, E˙=U˙/d\cplx E=\cplx U/d, полный ток I˙=σ~E˙S=(σSd+jωεSd)U˙=(G+jωC)U˙.\cplx I=\tilde\sigma\cplx ES=\Bigl(\frac{\sigma S}d+\ii\omega\frac{\varepsilon S}d\Bigr)\cplx U=(G+\ii\omega C)\cplx U . Это параллельная RR–CC схема замещения с C=εS/dC=\varepsilon S/d и G=σS/dG=\sigma S/d. Вводя комплексную ёмкость C~=C−jG/ω=C(1−jtg⁡δ)\tilde C=C-\ii G/\omega=C(1-\ii\operatorname{tg}\delta), можно писать I˙=jωC~U˙\cplx I=\ii\omega\tilde C\cplx U. Поскольку G/C=σ/εG/C=\sigma/\varepsilon не зависит от геометрии, tg⁡δ\operatorname{tg}\delta конденсатора с однородным диэлектриком равен tg⁡δ\operatorname{tg}\delta материала.

Потери в конденсаторе

S=0,1S=0{,}1 м², d=1d=1 мм, εr=4\varepsilon_r=4, σ=10−9\sigma=10^{-9} См/м, действующее напряжение U=1U=1 кВ, f=50f=50 Гц. C=4⋅8,854⋅10−12⋅0,110−3=3,54 нФ,G=10−9⋅0,110−3=10−7 См (R=10 МОм),C=\frac{4\cdot8{,}854\cdot10^{-12}\cdot0{,}1}{10^{-3}}=3{,}54\ \text{нФ},\qquad G=\frac{10^{-9}\cdot0{,}1}{10^{-3}}=10^{-7}\ \text{См}\ (R=10\ \text{МОм}), ωC=314,2⋅3,54⋅10−9=1,11⋅10−6 См,tg⁡δ=GωC=10−71,11⋅10−6=0,090.\omega C=314{,}2\cdot3{,}54\cdot10^{-9}=1{,}11\cdot10^{-6}\ \text{См},\qquad \operatorname{tg}\delta=\frac{G}{\omega C}=\frac{10^{-7}}{1{,}11\cdot10^{-6}}=0{,}090 . Активная мощность P=GU2=10−7⋅106=0,1P=GU^2=10^{-7}\cdot10^6=0{,}1 Вт, реактивная ∣Q∣=ωCU2=1,11|Q|=\omega CU^2=1{,}11 вар. Проверка по полю: E=U/d=106E=U/d=10^6 В/м (действующее), pa=σE2=10−9⋅1012=1000p_{\mathrm a}=\sigma E^2=10^{-9}\cdot10^{12}=1000 Вт/м³, объём 10−410^{-4} м³, P=0,1P=0{,}1 Вт. Для силовых конденсаторов такой tg⁡δ\operatorname{tg}\delta недопустимо велик; у хороших диэлектриков он на два-три порядка меньше.

Изоляция кабеля

Коаксиальная изоляция между жилой радиуса aa и оболочкой радиуса bb: погонные ёмкость и проводимость утечки C′=2πεln⁡(b/a),G′=2πσln⁡(b/a),G′C′=σε.C'=\frac{2\pi\varepsilon}{\ln(b/a)},\qquad G'=\frac{2\pi\sigma}{\ln(b/a)},\qquad \frac{G'}{C'}=\frac\sigma\varepsilon . Ток через изоляцию на единицу длины I˙′=(G′+jωC′)U˙\cplx I'=(G'+\ii\omega C')\cplx U почти целиком емкостный; диэлектрические потери P′=G′U2=ωC′U2tg⁡δP'=G'U^2=\omega C'U^2\operatorname{tg}\delta растут с частотой и с квадратом напряжения — одна из причин, по которой изоляция высоковольтных кабелей нагревается даже без тока нагрузки. Если изоляция многослойная, граничное условие σ~1E˙1n=σ~2E˙2n\tilde\sigma_1\cplx E_{1n}=\tilde\sigma_2\cplx E_{2n} показывает, как распределяется напряжение между слоями: на переменном напряжении — по ε\varepsilon, на постоянном — по σ\sigma, что приводит к различным распределениям E(r)E(r) для одного и того же кабеля.

Электрод в проводящей среде

Полусферический заземлитель радиуса aa в грунте σ\sigma, ε\varepsilon: заменяя в G=2πσaG=2\pi\sigma a вещественную проводимость комплексной, получаем проводимость заземлителя Y~=2πa(σ+jωε).\tilde Y=2\pi a(\sigma+\ii\omega\varepsilon). При a=0,5a=0{,}5 м, σ=0,01\sigma=0{,}01 См/м, εr=20\varepsilon_r=20 на 50 Гц: 2πaσ=3,14⋅10−22\pi a\sigma=3{,}14\cdot10^{-2} См, 2πaωε=1,75⋅10−72\pi a\omega\varepsilon=1{,}75\cdot10^{-7} См — заземлитель чисто активный (R=31,8R=31{,}8 Ом). На частотах порядка мегагерц емкостная составляющая сравнима с активной, и для расчёта импульсных перенапряжений заземлитель уже нельзя считать резистором.

Распространённые заблуждения

  • «Фазор — это функция времени». X˙\cplx X — комплексная постоянная. Мгновенное значение получается только после умножения на ejωte^{\ii\omega t} и взятия вещественной части. Нельзя «подставить tt» в фазор.
  • Произведение фазоров — не фазор произведения. Мощность p(t)=u(t)i(t)p(t)=u(t)i(t) содержит постоянную и удвоенную частоту; её среднее равно 12Re⁡{U˙I˙∗}\tfrac12\Re\{\cplx U\cplx I^*\}, а не Re⁡{U˙I˙}\Re\{\cplx U\cplx I\}. Фазорный аппарат линеен; к произведениям он применяется через сопряжение и множитель 12\tfrac12.
  • Амплитуда и действующее значение. В курсе фазоры амплитудные: P=12Re⁡{U˙I˙∗}P=\tfrac12\Re\{\cplx U\cplx I^*\}. В электротехнике часто пользуются действующими фазорами, и тогда P=Re⁡{U˙I˙∗}P=\Re\{\cplx U\cplx I^*\} без множителя. Смешение двух соглашений даёт ошибку вдвое.
  • «Ток смещения — это движение зарядов в диэлектрике». Ток смещения ∂D/∂t\partial\uD/\partial t существует и в вакууме, где зарядов нет; в диэлектрике к нему добавляется ток поляризации. Его роль — замыкать линии полного тока так, чтобы ∇⋅(J+∂D/∂t)=0\nabla\cdot (\uJ+\partial\uD/\partial t)=0 всегда.
  • «tg⁡δ\operatorname{tg}\delta — характеристика конденсатора». Для однородного диэлектрика геометрия сокращается, и tg⁡δ=σ/(ωε)\operatorname{tg}\delta=\sigma/(\omega\varepsilon) — свойство материала на данной частоте. У слоистого диэлектрика это уже не так.

Вопросы и упражнения

  1. Запишите фазор величины x(t)=5sin⁡(ωt+30°)x(t)=5\sin(\omega t+30°) при соглашении x=Re⁡{X˙ejωt}x=\Re\{\cplx Xe^{\ii\omega t}\}. Чему равен фазор производной dx/dt\dd x/\dd t?
  2. Морская вода: σ=4\sigma=4 См/м, εr=81\varepsilon_r=81. Найдите граничную частоту f0f_0 и tg⁡δ\operatorname{tg}\delta на 50 Гц и на 100 МГц.
  3. Двухслойная плоская изоляция: d1=d2=1d_1=d_2=1 мм, εr1=2\varepsilon_{r1}=2, εr2=4\varepsilon_{r2}=4, σ1=10−13\sigma_1=10^{-13} См/м, σ2=10−15\sigma_2=10^{-15} См/м. Как делится напряжение UU между слоями на переменном напряжении промышленной частоты и на постоянном? Где накапливается поверхностный заряд при переходе от одного режима к другому?
  4. Покажите, что для коаксиального кабеля tg⁡δ=G′/(ωC′)\operatorname{tg}\delta=G'/(\omega C') не зависит от aa и bb. Останется ли это верным, если проводимость изоляции зависит от радиуса (например, из-за неравномерного нагрева)?
  5. Выведите формулу ui‾=12Re⁡{U˙I˙∗}\overline{ui}=\tfrac12\Re\{\cplx U\cplx I^*\}, подставив u=Re⁡{U˙ejωt}u=\Re\{\cplx Ue^{\ii\omega t}\}, i=Re⁡{I˙ejωt}i=\Re\{\cplx Ie^{\ii\omega t}\} и усреднив за период.
  6. В каком случае для заземлителя из последнего раздела время релаксации грунта оказывается существенным параметром: при токе короткого замыкания промышленной частоты или при ударе молнии (фронт около 1 мкс)?

Ответы к пунктам 1, 2 и 3

1. 5sin⁡(ωt+30°)=5cos⁡(ωt−60°)5\sin(\omega t+30°)=5\cos(\omega t-60°), поэтому X˙=5e−j60°\cplx X=5e^{-\ii60°}. Производная: jωX˙=5ωej30°\ii\omega\cplx X=5\omega e^{\ii30°}.

2. ε=81⋅8,854⋅10−12=7,17⋅10−10\varepsilon=81\cdot8{,}854\cdot10^{-12}=7{,}17\cdot10^{-10} Ф/м; f0=σ/(2πε)=4/(2π⋅7,17⋅10−10)=8,9⋅108f_0=\sigma/(2\pi\varepsilon)=4/(2\pi\cdot7{,}17\cdot10^{-10})=8{,}9\cdot10^8 Гц ≈0,9\approx0{,}9 ГГц. На 50 Гц tg⁡δ=4/(314,2⋅7,17⋅10−10)=1,8⋅107\operatorname{tg}\delta=4/(314{,}2\cdot7{,}17\cdot10^{-10})=1{,}8\cdot10^7; на 100 МГц tg⁡δ=4/(6,28⋅108⋅7,17⋅10−10)=8,9\operatorname{tg}\delta=4/(6{,}28\cdot10^8\cdot7{,}17\cdot10^{-10})=8{,}9.

3. На переменном напряжении (при ωε≫σ\omega\varepsilon\gg\sigma в обоих слоях) нормальная составляющая D\uD непрерывна: E1/E2=ε2/ε1=2E_1/E_2=\varepsilon_2/\varepsilon_1=2, U1=23UU_1=\tfrac23U, U2=13UU_2=\tfrac13U. На постоянном напряжении непрерывна JnJ_n: E1/E2=σ2/σ1=0,01E_1/E_2=\sigma_2/\sigma_1=0{,}01, U1≈0,01UU_1\approx0{,}01U, U2≈0,99UU_2\approx0{,}99U — почти всё напряжение ложится на менее проводящий слой. При переходе на границе слоёв накапливается заряд с плотностью σs=D2n−D1n\sigma_s=D_{2n}-D_{1n}; процесс идёт с характерным временем τ=(ε1+ε2)/(σ1+σ2)≈530\tau=(\varepsilon_1+\varepsilon_2)/(\sigma_1+\sigma_2)\approx530 с (около 9 мин); для каждого слоя в отдельности ε/σ\varepsilon/\sigma составило бы 3 мин и 10 ч.

Итоги

Далее мы переходим к магнитному полю: магнитостатика — B\uB, H\uH и векторный потенциал.

Применение в FEMM 5