{"checks": [{"limit": 1e-05, "passed": true, "name": "Энергия и терминальный заряд: microstrip-01-eps1.fee", "value": 5.2140070039286e-11}, {"limit": 1e-05, "passed": true, "name": "Энергия и терминальный заряд: microstrip-01-eps4.fee", "value": 6.963807308579817e-11}, {"limit": 0, "passed": true, "name": "Границы эффективной проницаемости 1≤εeff≤4", "value": 0}, {"limit": 1e-05, "passed": true, "name": "Энергия и терминальный заряд: microstrip-02-eps1.fee", "value": 5.007941838996999e-10}, {"limit": 1e-05, "passed": true, "name": "Энергия и терминальный заряд: microstrip-02-eps4.fee", "value": 8.248572935798393e-10}, {"limit": 0, "passed": true, "name": "Границы эффективной проницаемости 1≤εeff≤4", "value": 0}, {"limit": 1e-05, "passed": true, "name": "Энергия и терминальный заряд: microstrip-03-eps1.fee", "value": 5.236211464421103e-11}, {"limit": 1e-05, "passed": true, "name": "Энергия и терминальный заряд: microstrip-03-eps4.fee", "value": 9.530543021440963e-11}, {"limit": 0, "passed": true, "name": "Границы эффективной проницаемости 1≤εeff≤4", "value": 0}, {"limit": 0.01, "passed": true, "name": "Сходимость ёмкости микрополосковой линии", "value": 0.0043417545317804285}, {"limit": 0.01, "passed": true, "name": "Сходимость квази-ТЕМ сопротивления", "value": 0.004398772723951838}, {"limit": 0.08, "passed": true, "name": "Инженерная формула Z0: ориентир для открытой микрополосковой линии", "value": 0.015212063733664904}], "records": [{"voltage_V": 0.9999999999991701, "mesh_mm": 0.8, "capacitance_F": 3.838543794848165e-11, "energy_J": 1.9192718975209678e-11, "nodes": 4375.0, "charge_C": 3.83854379484498e-11, "elements": 8465.0, "substrate_epsr": 1, "model": "microstrip-01-eps1.fee", "energy_capacitance_F": 3.838543795048307e-11}, {"Z0_ohm": 49.77101145017682, "mesh_mm": 0.8, "voltage_V": 0.9999999999986414, "charge_C": 1.1701435983319042e-10, "elements": 8465.0, "substrate_epsr": 4, "model": "microstrip-01-eps4.fee", "energy_capacitance_F": 1.1701435984149806e-10, "capacitance_F": 1.170143598333494e-10, "effective_epsr": 3.048404970405657, "energy_J": 5.850717992059005e-11, "nodes": 4375.0}, {"voltage_V": 1.0000000000039795, "mesh_mm": 0.4, "capacitance_F": 3.820933602032498e-11, "energy_J": 1.9104668000747035e-11, "nodes": 8669.0, "charge_C": 3.820933602047703e-11, "elements": 16846.0, "substrate_epsr": 1, "model": "microstrip-02-eps1.fee", "energy_capacitance_F": 3.8209336001189965e-11}, {"Z0_ohm": 50.040887658532114, "mesh_mm": 0.4, "voltage_V": 0.9999999999919977, "charge_C": 1.162891225280729e-10, "elements": 16846.0, "substrate_epsr": 4, "model": "microstrip-02-eps4.fee", "energy_capacitance_F": 1.1628912262492539e-10, "capacitance_F": 1.1628912252900347e-10, "effective_epsr": 3.0434740469487593, "energy_J": 5.814456131153212e-11, "nodes": 8669.0}, {"voltage_V": 1.000000000000217, "mesh_mm": 0.2, "capacitance_F": 3.804055542723805e-11, "energy_J": 1.9020277712631337e-11, "nodes": 32361.0, "charge_C": 3.8040555427246304e-11, "elements": 63768.0, "substrate_epsr": 1, "model": "microstrip-03-eps1.fee", "energy_capacitance_F": 3.804055542524617e-11}, {"Z0_ohm": 50.26100615024681, "mesh_mm": 0.2, "voltage_V": 1.000000000000485, "charge_C": 1.1578422370432255e-10, "elements": 63768.0, "substrate_epsr": 4, "model": "microstrip-03-eps4.fee", "energy_capacitance_F": 1.1578422369323155e-10, "capacitance_F": 1.1578422370426641e-10, "effective_epsr": 3.0437048671839797, "energy_J": 5.7892111846671925e-11, "nodes": 32361.0}], "passed": true, "runtime": "FEMM 5.0; встроенный MicroPython", "columns": {"offset_mm": "Эксцентриситет, мм", "analytic_E_7p5mm_V_m": "Аналитическое поле при r=7,5 мм, В/м", "analytic_capacitance_F": "Аналитическая ёмкость, Ф", "charge_C": "Заряд, Кл", "U_amplitude_V": "Амплитуда напряжения, В", "analytic_I_real_A": "Аналитическая активная компонента, А", "conductivity_S_m": "Эквивалентная проводимость, См/м", "apparent_power_VA": "Полная мощность, ВА", "analytic_I_imag_A": "Аналитическая квадратурная компонента, А", "energy_charge_relative_error": "Невязка энергии и заряда", "liquid_height_mm": "Уровень жидкости, мм", "capacitance_F": "Ёмкость по заряду, Ф", "E_7p5mm_V_m": "Поле при r=7,5 мм, В/м", "I_real_A": "Активная компонента амплитуды тока, А", "Z0_ohm": "Квази-ТЕМ сопротивление, Ом", "voltage_V": "Разность потенциалов, В", "E_tip_sample_V_m": "Поле около закруглённого конца, В/м", "I_imag_A": "Квадратурная компонента амплитуды тока, А", "E_150mm_V_m": "Поле при r=150 мм, В/м", "analytic_losses_W": "Аналитические потери, Вт", "nodes": "Узлов", "insulation": "Изоляция", "analytic_Emax_kV_mm": "Аналитический максимум поля, кВ/мм", "effective_epsr": "Эффективная проницаемость", "losses_W": "Диэлектрические потери, Вт", "analytic_E_150mm_V_m": "Аналитическое поле при r=150 мм, В/м", "U_RMS_V": "Действующее напряжение, В", "mesh_mm": "Размер сетки, мм", "local_mesh_mm": "Сетка около иглы, мм", "substrate_epsr": "Проницаемость подложки", "analytic_C_relative_error": "Относительная ошибка ёмкости", "energy_J": "Энергия, Дж", "E_10mm_kV_mm": "Поле при r=10 мм, кВ/мм", "outer_radius_mm": "Радиус внешней границы, мм", "E_25mm_kV_mm": "Поле при r=25 мм, кВ/мм", "energy_capacitance_F": "Ёмкость по энергии, Ф", "Emax_from_charge_kV_mm": "Максимум поля по заряду, кВ/мм", "elements": "Элементов", "terminal_power_W": "Средняя мощность электрода, Вт", "model": "Файл модели"}}